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WNM4014-8/TR
IC

PDFN5X6-8L

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WNM4014-8/TR

WNM4014是N沟道增强型MOS场效应晶体管。 采用先进的沟槽技术和设计, 可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。 该器件适用于DC-DC转换、功率开关和充电电路

品牌

WILLSEMI

封装

PDFN5X6-8L

库存

1,293

货期

现货

WNM4014-8/TR参数

封装PDFN5X6-8L
品牌WILLSEMI(韦尔)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存1293

WNM4014-8/TR概述

WNM4014是N沟道增强型MOS场效应晶体管。 采用先进的沟槽技术和设计, 可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。 该器件适用于DC-DC转换、功率开关和充电电路

WNM4014-8/TR特性

暂无产品特性。

WNM4014-8/TR应用领域

暂无应用领域。

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