WNM4009-3/TR
IC
SOT-23
可供量大可议
WNM4009-3/TR
WNM4009是N沟道增强型MOS场效应晶体管。 采用先进的沟槽技术和设计， 可在低栅极电荷下提供出色的导通电阻RDS(ON)。 该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路
品牌
WILLSEMI
封装
SOT-23
库存
3,680
货期
现货
WNM4009-3/TR参数
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | WILLSEMI(韦尔) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 3680 |
WNM4009-3/TR概述
WNM4009是N沟道增强型MOS场效应晶体管。 采用先进的沟槽技术和设计， 可在低栅极电荷下提供出色的导通电阻RDS(ON)。 该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路
WNM4009-3/TR特性
暂无产品特性。
WNM4009-3/TR应用领域
暂无应用领域。