WNM4006-3/TR
IC
SOT-23
可供量大可议
WNM4006-3/TR
绝缘栅场效应管（MOSFET）
品牌
WILLSEMI
封装
SOT-23
库存
41,000
货期
现货
WNM4006-3/TR参数
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | WILLSEMI(韦尔) |
| 批次 | 26+ |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 126mΩ@10V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V |
| 输入电容(Ciss) | 315pF |
| 类型 | N沟道 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 41,000 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 45V |
| 耗散功率(Pd) | 700mW |
| 栅极电荷量(Qg) | 4.2nC |
| 反向传输电容(Crss) | 15pF |
| 输出电容(Coss) | 18pF |
WNM4006-3/TR概述
绝缘栅场效应管（MOSFET）
WNM4006-3/TR特性
暂无产品特性。
WNM4006-3/TR应用领域
暂无应用领域。