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WNM3057-8/TR
IC

PDFN3333-8L

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WNM3057-8/TR

WNM3057 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。 采用先进的沟槽技术和设计, 可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。 该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

品牌

WILLSEMI

封装

PDFN3333-8L

库存

2,498

货期

现货

WNM3057-8/TR参数

封装PDFN3333-8L
品牌WILLSEMI(韦尔)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存2498

WNM3057-8/TR概述

WNM3057 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。 采用先进的沟槽技术和设计, 可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。 该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

WNM3057-8/TR特性

暂无产品特性。

WNM3057-8/TR应用领域

暂无应用领域。

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