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WNM2077-3/TR
IC

SOT-723

可供量大可议

WNM2077-3/TR

场效应管(MOSFET) 310mW 20V 510mA 1个N沟道

品牌

WILLSEMI

封装

SOT-723

库存

24,005

货期

现货

WNM2077-3/TR参数

封装SOT-723
品牌WILLSEMI(韦尔)
批次26+
数量1个N沟道
导通电阻(RDS(on))840mΩ@1.8V
阈值电压(Vgs(th))1V
输入电容(Ciss)30pF
工作温度-55℃~+150℃
输出电容(Coss)7pF
分类场效应管(MOSFET)
库存24,005
MOQ / SPQ1 / 1
漏源电压(Vdss)20V
耗散功率(Pd)360mW
栅极电荷量(Qg)1.07nC@4.5V
反向传输电容(Crss)5pF
类型N沟道

WNM2077-3/TR概述

场效应管(MOSFET) 310mW 20V 510mA 1个N沟道

WNM2077-3/TR特性

暂无产品特性。

WNM2077-3/TR应用领域

暂无应用领域。

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