WNM2072-3/TR
IC
DFN1006-3L
可供量大可议
WNM2072-3/TR
场效应管(MOSFET) 270mW 20V 660mA 1个N沟道
品牌
WILLSEMI
封装
DFN1006-3L
库存
25,771
货期
现货
WNM2072-3/TR参数
| 封装 | DFN1006-3L |
|---|---|
| 品牌 | WILLSEMI(韦尔) |
| 批次 | 两年内 |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 220mΩ@4.5V |
| 栅极电荷量(Qg) | 870pC@4.5V |
| 反向传输电容(Crss) | 8.3pF |
| 类型 | N沟道 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 25,771 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 20V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 450mV |
| 输入电容(Ciss) | 50.6pF |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 输出电容(Coss) | 13.2pF |
WNM2072-3/TR概述
场效应管(MOSFET) 270mW 20V 660mA 1个N沟道
WNM2072-3/TR特性
暂无产品特性。
WNM2072-3/TR应用领域
暂无应用领域。