WNM2046E-3/TR
IC
DFN1006-3L
可供量大可议
WNM2046E-3/TR
绝缘栅场效应管（MOSFET）
品牌
WILLSEMI
封装
DFN1006-3L
库存
69,874
货期
现货
WNM2046E-3/TR参数
| 封装 | DFN1006-3L |
|---|---|
| 品牌 | WILLSEMI(韦尔) |
| 批次 | 26+ |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.5Ω@1.8V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 输入电容(Ciss) | 29pF |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 输出电容(Coss) | 11pF |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 69,874 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 20V |
| 耗散功率(Pd) | 480mW |
| 栅极电荷量(Qg) | 1.1nC@4.5V |
| 反向传输电容(Crss) | 4pF |
| 类型 | N沟道 |
WNM2046E-3/TR概述
绝缘栅场效应管（MOSFET）
WNM2046E-3/TR特性
暂无产品特性。
WNM2046E-3/TR应用领域
暂无应用领域。