WNM2046-3/TR
IC
DFN1006-3L
可供量大可议
WNM2046-3/TR
WNM2046 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。 采用先进的沟槽技术和设计， 可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。 该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路
品牌
WILLSEMI
封装
DFN1006-3L
库存
9,740
货期
现货
WNM2046-3/TR参数
| 封装 | DFN1006-3L |
|---|---|
| 品牌 | WILLSEMI(韦尔) |
| MOQ / SPQ | 1 / 20 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 9740 |
WNM2046-3/TR概述
WNM2046 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。 采用先进的沟槽技术和设计， 可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。 该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路
WNM2046-3/TR特性
暂无产品特性。
WNM2046-3/TR应用领域
暂无应用领域。