WNM2030-3-HXY

该N沟道场效应管具有20V的漏源电压（VDSS）和12V的栅源电压（VGS）， 连续漏极电流为1.2A， 导通电阻典型值为150mΩ。 低导通电阻有助于减少导通损耗， 提高能效。 器件适用于中低电压开关应用， 如电源管理模块、便携式设备的负载开关、DC-DC转换电路以及各类电池供电的电子设备中的信号切换与功率控制， 适合对空间和效率有要求的高密度电路设计。