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WNM2030-3/TR
自营可供
IC

SOT-723

WNM2030-3/TR

场效应管(MOSFET) 370mW 20V 880mA 1个N沟道

品牌

WILLSEMI

封装

SOT-723

交期

现货

批次

两年内

WNM2030-3/TR参数

封装SOT-723
品牌WILLSEMI(韦尔)
批次两年内
数量1个N沟道
导通电阻(RDS(on))310mΩ@4.5V
阈值电压(Vgs(th))1V
输入电容(Ciss)50pF
工作温度-55℃~+150℃
输出电容(Coss)13pF
分类场效应管(MOSFET)
库存149,657
MOQ / SPQ1 / 1
漏源电压(Vdss)20V
耗散功率(Pd)430mW
栅极电荷量(Qg)1.15nC@4.5V
反向传输电容(Crss)8pF
类型N沟道

WNM2030-3/TR概述

场效应管(MOSFET) 370mW 20V 880mA 1个N沟道

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