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WNM2024-3/TR
IC

SOT-23

可供量大可议

WNM2024-3/TR

场效应管(MOSFET) 600mW 20V 3.3A 1个N沟道

品牌

WILLSEMI

封装

SOT-23

库存

15,548

货期

现货

WNM2024-3/TR参数

封装SOT-23
品牌WILLSEMI(韦尔)
批次两年内
数量1个N沟道
导通电阻(RDS(on))36mΩ@4.5V
阈值电压(Vgs(th))1V
输入电容(Ciss)1.025nF
工作温度-55℃~+150℃
输出电容(Coss)125pF
分类场效应管(MOSFET)
库存15,548
MOQ / SPQ1 / 1
漏源电压(Vdss)20V
耗散功率(Pd)800mW
栅极电荷量(Qg)12nC@4.5V
反向传输电容(Crss)120pF
类型N沟道

WNM2024-3/TR概述

场效应管(MOSFET) 600mW 20V 3.3A 1个N沟道

WNM2024-3/TR特性

暂无产品特性。

WNM2024-3/TR应用领域

暂无应用领域。

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