WNM2020-ALJ
IC
SOT-23
可供量大可议
WNM2020-ALJ
特性：20V N沟道2.2A、低压MOS管、小信号MOSFET。 采用先进的沟槽设计和技术， 在低栅极电荷下实现低导通电阻。 应用：DC-DC 转换、电源开关和充电电路等。
品牌
ALJ
封装
SOT-23
库存
3,000
货期
现货
WNM2020-ALJ参数
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | ALJ(龙晶微) |
| MOQ / SPQ | 1 / 20 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 3000 |
WNM2020-ALJ概述
特性：20V N沟道2.2A、低压MOS管、小信号MOSFET。 采用先进的沟槽设计和技术， 在低栅极电荷下实现低导通电阻。 应用：DC-DC 转换、电源开关和充电电路等。
WNM2020-ALJ特性
暂无产品特性。
WNM2020-ALJ应用领域
暂无应用领域。