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WNM2016A
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IC

SOT-23

WNM2016A

场效应晶体管(FET) WNM2016A

Brand

TECH PUBLIC

Package

SOT-23

交期

现货

Date Code

26+

WNM2016AParameters

封装SOT-23
品牌TECH PUBLIC(台舟电子)
批次26+
数量1个N沟道
导通电阻(RDS(on))35mΩ@4.5V
阈值电压(Vgs(th))1V
输入电容(Ciss)574pF
工作温度-55℃~+150℃
分类场效应管(MOSFET)
库存4,008
MOQ / SPQ1 / 1
漏源电压(Vdss)20V
耗散功率(Pd)1.25W
栅极电荷量(Qg)7.7nC@4.5V
反向传输电容(Crss)60pF
输出电容(Coss)70pF

WNM2016A概述

场效应晶体管(FET) WNM2016A

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