WNM01N10-3/TR
自营可供
IC
SOT-23
WNM01N10-3/TR
绝缘栅场效应管（MOSFET）
品牌
WILLSEMI
封装
SOT-23
交期
现货
批次
26+
WNM01N10-3/TR参数
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | WILLSEMI(韦尔) |
| 批次 | 26+ |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 255mΩ@4.5V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.9V |
| 输入电容(Ciss) | 350pF |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 7,408 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 100V |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W |
| 栅极电荷量(Qg) | 3.6nC@4.5V |
| 反向传输电容(Crss) | 14.2pF |
WNM01N10-3/TR概述
绝缘栅场效应管（MOSFET）