WNM01N10-3/TR

N-Channel增强型MOS场效应晶体管。 采用先进的沟槽技术和设计， 可在低栅极电荷的情况下提供出色的RDS(ON)。 适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。 产品无铅且无卤。