WMO80R720S
IC
TO-252
可供量大可议
WMO80R720S
WMOSTM S 是新一代超结 MOSFET 系列产品， 采用电荷平衡技术， 具备极低的导通电阻和栅极电荷特性。 WMOSTM S 适用于对功率密度和效率要求极高的应用场景。
品牌
Wayon
封装
TO-252
库存
2,375
货期
现货
WMO80R720S参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | Wayon(上海维安) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 800V |
| 耗散功率(Pd) | 31W |
| 栅极电荷量(Qg) | 16nC@10V |
| 反向传输电容(Crss) | 0.6pF |
| 输出电容(Coss) | 18pF |
| 商品型号 | WMO80R720S |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 0.00053364 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 2375 |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 680mΩ@10V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V |
| 输入电容(Ciss) | 625pF |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 商品名称 | 800V、0.68Ω超结功率MOSFET |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 场效应管(MOSFET) |
WMO80R720S概述
WMOSSTM S是新一代超结MOSFET系列, 采用电荷平衡技术, 实现极低的导通电阻和低栅极电荷性能。 WMOSSTM S适用于要求卓越功率密度和出色效率的应用。
WMO80R720S特性
- 最大结温下VDS = 850 V
- 典型RDS(on) = 0.68 Ω
- 100%进行了非钳位感性开关(UIS)测试
- 无铅镀层、无卤素
WMO80R720S应用领域
- LED照明-充电器-适配器-个人电脑-液晶电视-服务器