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WMO13N65C4
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IC

TO-252

WMO13N65C4

WMO13N65C4

品牌

Wayon

封装

TO-252

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现货

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—

WMO13N65C4参数

封装TO-252
品牌Wayon(上海维安)
MOQ / SPQ1 / 1
漏源电压(Vdss)650V
耗散功率(Pd)85W
栅极电荷量(Qg)12nC
反向传输电容(Crss)0.7pF
类型N沟道
栅极电压(Vgs)±30V
商品型号WMO13N65C4
单位个
商品重量0.000574
分类场效应管(MOSFET)
库存50
数量1个N沟道
导通电阻(RDS(on))300mΩ@10V
阈值电压(Vgs(th))3V
输入电容(Ciss)515pF
工作温度-55℃~+150℃
输出电容(Coss)22pF
商品名称WMO13N65C4
包装方式编带
商品类型场效应管(MOSFET)

WMO13N65C4概述

WMO13N65C4

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