WMJ28N65C4
IC
TO-247
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WMJ28N65C4
WMJ28N65C4
品牌
Wayon
封装
TO-247
库存
30
货期
现货
WMJ28N65C4参数
| 封装 | TO-247 |
|---|---|
| 品牌 | Wayon(上海维安) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 650V |
| 耗散功率(Pd) | 160W |
| 栅极电荷量(Qg) | 27.3nC |
| 反向传输电容(Crss) | 1.8pF |
| 类型 | N沟道 |
| 栅极电压(Vgs) | ±30V |
| 商品型号 | WMJ28N65C4 |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 0.00827 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 30 |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 130mΩ@10V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 输入电容(Ciss) | 1.775nF |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 输出电容(Coss) | 64pF |
| 商品名称 | WMJ28N65C4 |
| 包装方式 | 管装 |
| 商品类型 | 场效应管(MOSFET) |
WMJ28N65C4概述
WMOSSTM C4是威兆(Wayon)的第四代超结MOSFET产品系列, 采用电荷平衡技术, 具备极低的导通电阻和栅极电荷特性。 WMOSSTM C4适用于对功率密度和效率要求极高的应用场景。
WMJ28N65C4特性
- 最大结温(Tj)下, VDS = 700 V
- 典型RDS(on) = 0.13 Ω
- 100%进行非钳位感性负载开关(UIS)测试
- 无铅电镀、无卤
WMJ28N65C4应用领域
- LED照明-充电器-适配器-个人电脑(PC)-液晶电视(LCD TV)-服务器