WMB060N10LGS
IC
PDFN5060-8L
可供量大可议
WMB060N10LGS
WMB060N10LGS采用了第二代功率沟槽MOSFET技术， 该技术经过特别优化， 可在最大程度降低导通电阻的同时， 保持卓越的开关性能。 此器件非常适合高效快速开关应用。
品牌
Wayon
封装
PDFN5060-8L
库存
1,640
货期
现货
WMB060N10LGS参数
| 封装 | PDFN5060-8L |
|---|---|
| 品牌 | Wayon(上海维安) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 1640 |
WMB060N10LGS概述
WMB060N10LGS采用了第二代功率沟槽MOSFET技术， 该技术经过特别优化， 可在最大程度降低导通电阻的同时， 保持卓越的开关性能。 此器件非常适合高效快速开关应用。
WMB060N10LGS特性
暂无产品特性。
WMB060N10LGS应用领域
暂无应用领域。