WM03N58M
IC
SOT-23
可供量大可议
WM03N58M
特性：小信号MOSFET。 VDS = 30V。 ID = 5.8A。 RDS(on) < 35mΩ @ VGS = 10V。 RDS(on) < 40mΩ @ VGS = 4.5V。 RDS(on) < 52mΩ @ VGS = 2.5V。 沟槽功率低压MOSFET技术
品牌
Wayon
封装
SOT-23
库存
1,100
货期
现货
WM03N58M参数
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | Wayon(上海维安) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 1100 |
WM03N58M概述
特性：小信号MOSFET。 VDS = 30V。 ID = 5.8A。 RDS(on) < 35mΩ @ VGS = 10V。 RDS(on) < 40mΩ @ VGS = 4.5V。 RDS(on) < 52mΩ @ VGS = 2.5V。 沟槽功率低压MOSFET技术
WM03N58M特性
暂无产品特性。
WM03N58M应用领域
暂无应用领域。