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WM02P41M
IC

SOT-23

可供量大可议

WM02P41M

特性:小信号MOSFET。 VDS = -20V。 ID = -4.1A。 RDS(on) < 45mΩ @ VGS = -4.5V。 RDS(on) < 57mΩ @ VGS = -2.5V。 沟槽低压MOSFET技术

品牌

Wayon

封装

SOT-23

库存

250

货期

现货

WM02P41M参数

封装SOT-23
品牌Wayon(上海维安)
MOQ / SPQ1 / 10
分类场效应管(MOSFET)
库存250

WM02P41M概述

特性:小信号MOSFET。 VDS = -20V。 ID = -4.1A。 RDS(on) < 45mΩ @ VGS = -4.5V。 RDS(on) < 57mΩ @ VGS = -2.5V。 沟槽低压MOSFET技术

WM02P41M特性

暂无产品特性。

WM02P41M应用领域

暂无应用领域。

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