WM02N28M
IC
SOT-23
可供量大可议
WM02N28M
特性：VDS = 20V， ID = 2.8A， RDS(on) < 60mΩ @ VGS = 4.5V， RDS(on) < 100mΩ @ VGS = 2.5V。 低栅极电荷。 沟槽功率低压MOSFET技术
品牌
Wayon
封装
SOT-23
库存
20
货期
现货
WM02N28M参数
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | Wayon(上海维安) |
| MOQ / SPQ | 1 / 20 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 20 |
WM02N28M概述
特性：VDS = 20V， ID = 2.8A， RDS(on) < 60mΩ @ VGS = 4.5V， RDS(on) < 100mΩ @ VGS = 2.5V。 低栅极电荷。 沟槽功率低压MOSFET技术
WM02N28M特性
暂无产品特性。
WM02N28M应用领域
暂无应用领域。