WM02N08F
IC
DFN1006-3L
可供量大可议
WM02N08F
特性：VDS = 20V。 ID = 0.75A。 RDS(on) < 0.38Ω @ VGS = 4.5V。 RDS(on) < 0.45Ω @ VGS = 2.5V。 沟槽低压MOSFET技术。 ESD保护
品牌
Wayon
封装
DFN1006-3L
库存
24,480
货期
现货
WM02N08F参数
| 封装 | DFN1006-3L |
|---|---|
| 品牌 | Wayon(上海维安) |
| MOQ / SPQ | 1 / 20 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 24480 |
WM02N08F概述
特性：VDS = 20V。 ID = 0.75A。 RDS(on) < 0.38Ω @ VGS = 4.5V。 RDS(on) < 0.45Ω @ VGS = 2.5V。 沟槽低压MOSFET技术。 ESD保护
WM02N08F特性
暂无产品特性。
WM02N08F应用领域
暂无应用领域。