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WGU4N60SE
IC

TO-251

可供量大可议

WGU4N60SE

特性:低固有电容。 出色的开关特性。 扩展的安全工作区。 无与伦比的栅极电荷:Qg = 13.3nC(典型值)。 Rds(on):2.3Ω(最大值)@Vg = 10V。 100%雪崩测试

品牌

Wild Goose

封装

TO-251

库存

2,940

货期

现货

WGU4N60SE参数

封装TO-251
品牌Wild Goose(威谷)
MOQ / SPQ1 / 5
分类场效应管(MOSFET)
库存2940

WGU4N60SE概述

特性:低固有电容。 出色的开关特性。 扩展的安全工作区。 无与伦比的栅极电荷:Qg = 13.3nC(典型值)。 Rds(on):2.3Ω(最大值)@Vg = 10V。 100%雪崩测试

WGU4N60SE特性

暂无产品特性。

WGU4N60SE应用领域

暂无应用领域。

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