WGP2N65SE
IC
TO-220
可供量大可议
WGP2N65SE
特性：低固有电容。 出色的开关特性。 扩展的安全工作区。 无与伦比的栅极电荷：Qg = 6.7nC（典型值）。 BVDSS = 650V， Lp = 2A。 RDS(on)：4.5Ω（典型值）， Vg = 10V。 100%雪崩测试
品牌
Wild Goose
封装
TO-220
库存
950
货期
现货
WGP2N65SE参数
| 封装 | TO-220 |
|---|---|
| 品牌 | Wild Goose(威谷) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 950 |
WGP2N65SE概述
特性：低固有电容。 出色的开关特性。 扩展的安全工作区。 无与伦比的栅极电荷：Qg = 6.7nC（典型值）。 BVDSS = 650V， Lp = 2A。 RDS(on)：4.5Ω（典型值）， Vg = 10V。 100%雪崩测试
WGP2N65SE特性
暂无产品特性。
WGP2N65SE应用领域
暂无应用领域。