WGP20N60SE
IC
TO-220
可供量大可议
WGP20N60SE
600V N沟道MOSFET
品牌
Wild Goose
封装
TO-220
库存
50
货期
现货
WGP20N60SE参数
| 封装 | TO-220 |
|---|---|
| 品牌 | Wild Goose(威谷) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 600V |
| 耗散功率(Pd) | 84W |
| 栅极电荷量(Qg) | 75nC@10V |
| 反向传输电容(Crss) | 25pF |
| 类型 | N沟道 |
| 栅极电压(Vgs) | ±30V |
| 商品型号 | WGP20N60SE |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 0.00268 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 50 |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 330mΩ@10V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 输入电容(Ciss) | 3.42nF |
| 配置 | 独立式 |
| 输出电容(Coss) | 325pF |
| 商品名称 | 600V N沟道MOSFET |
| 包装方式 | 管装 |
| 商品类型 | 场效应管(MOSFET) |
WGP20N60SE概述
600V N沟道MOSFET
WGP20N60SE特性
- 低固有电容。
- 出色的开关特性。
- 扩展的安全工作区。
- 无与伦比的栅极电荷:Qg = 75 nC(典型值)。
- VDSS = 600 V, ID = 20 A
- RDS(导通):0.4Ω(最大值), @VG = 10V
- 100%雪崩测试
WGP20N60SE应用领域
暂无应用领域。