WGP10N65SE
IC
TO-220
可供量大可议
WGP10N65SE
特性：低固有电容。 出色的开关特性。 扩展的安全工作区。 无与伦比的栅极电荷：Qg = 35nC（典型值）。 BVDS = 650V， ID = 10A。 RDS(on)：0.9Ω（最大值）@VG = 10V。 100%雪崩测试
品牌
Wild Goose
封装
TO-220
库存
735
货期
现货
WGP10N65SE参数
| 封装 | TO-220 |
|---|---|
| 品牌 | Wild Goose(威谷) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 735 |
WGP10N65SE概述
特性：低固有电容。 出色的开关特性。 扩展的安全工作区。 无与伦比的栅极电荷：Qg = 35nC（典型值）。 BVDS = 650V， ID = 10A。 RDS(on)：0.9Ω（最大值）@VG = 10V。 100%雪崩测试
WGP10N65SE特性
暂无产品特性。
WGP10N65SE应用领域
暂无应用领域。