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WGF30N50SE
IC

TO-220F

可供量大可议

WGF30N50SE

特性:低固有电容。 出色的开关特性。 扩展的安全工作区。 无与伦比的栅极电荷:Qg = 78nC(典型值)。 VDSS = 500V, ID = 30A。 RDS(on):160mΩ(典型值)@VG = 10V。 100%雪崩测试

品牌

Wild Goose

封装

TO-220F

库存

97

货期

现货

WGF30N50SE参数

封装TO-220F
品牌Wild Goose(威谷)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存97

WGF30N50SE概述

特性:低固有电容。 出色的开关特性。 扩展的安全工作区。 无与伦比的栅极电荷:Qg = 78nC(典型值)。 VDSS = 500V, ID = 30A。 RDS(on):160mΩ(典型值)@VG = 10V。 100%雪崩测试

WGF30N50SE特性

暂无产品特性。

WGF30N50SE应用领域

暂无应用领域。

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