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WGF20N50SE
IC

TO-220F

可供量大可议

WGF20N50SE

特性:低固有电容。 出色的开关特性。 扩展的安全工作区。 无与伦比的栅极电荷:Qg = 50 nC(典型值)。 RDS(on):0.23Ω(最大值)@VG = 10V。 100%雪崩测试

品牌

Wild Goose

封装

TO-220F

库存

3

货期

现货

WGF20N50SE参数

封装TO-220F
品牌Wild Goose(威谷)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存3

WGF20N50SE概述

特性:低固有电容。 出色的开关特性。 扩展的安全工作区。 无与伦比的栅极电荷:Qg = 50 nC(典型值)。 RDS(on):0.23Ω(最大值)@VG = 10V。 100%雪崩测试

WGF20N50SE特性

暂无产品特性。

WGF20N50SE应用领域

暂无应用领域。

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