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WGD65R550L
IC

TO-252

可供量大可议

WGD65R550L

特性:超低导通电阻:在VGS = 10V时, RDS(ON)=550mΩ。 超低栅极电荷:典型值Qg = 16nC。 快速开关能力。 稳健设计, 具有更好的雪崩耐量性能。 改进的电磁干扰设计

品牌

Wild Goose

封装

TO-252

库存

2,225

货期

现货

WGD65R550L参数

封装TO-252
品牌Wild Goose(威谷)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存2225

WGD65R550L概述

特性:超低导通电阻:在VGS = 10V时, RDS(ON)=550mΩ。 超低栅极电荷:典型值Qg = 16nC。 快速开关能力。 稳健设计, 具有更好的雪崩耐量性能。 改进的电磁干扰设计

WGD65R550L特性

暂无产品特性。

WGD65R550L应用领域

暂无应用领域。

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