WGD65R330L
IC
TO-252
可供量大可议
WGD65R330L
特性：超低静态漏源导通电阻：在栅源电压为10V时， RDS(ON) = 330mΩ。 超低栅极电荷：典型值Qg = 30nC。 快速开关能力。 稳健设计， 具有更好的单脉冲雪崩能量性能。 改进的电磁干扰设计
品牌
Wild Goose
封装
TO-252
库存
584
货期
现货
WGD65R330L参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | Wild Goose(威谷) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 584 |
WGD65R330L概述
特性：超低静态漏源导通电阻：在栅源电压为10V时， RDS(ON) = 330mΩ。 超低栅极电荷：典型值Qg = 30nC。 快速开关能力。 稳健设计， 具有更好的单脉冲雪崩能量性能。 改进的电磁干扰设计
WGD65R330L特性
暂无产品特性。
WGD65R330L应用领域
暂无应用领域。