WGD40N10V
IC
TO-252
可供量大可议
WGD40N10V
特性：低固有电容。 出色的开关特性。 扩展的安全工作区。 无与伦比的栅极电荷：Qg = 12.7nC（典型值）。 BVDSS = 100V， Id = 40A。 Rps(on)：17mΩ（最大值）， VG = 10V。 100%雪崩测试
品牌
Wild Goose
封装
TO-252
库存
165
货期
现货
WGD40N10V参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | Wild Goose(威谷) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 165 |
WGD40N10V概述
特性：低固有电容。 出色的开关特性。 扩展的安全工作区。 无与伦比的栅极电荷：Qg = 12.7nC（典型值）。 BVDSS = 100V， Id = 40A。 Rps(on)：17mΩ（最大值）， VG = 10V。 100%雪崩测试
WGD40N10V特性
暂无产品特性。
WGD40N10V应用领域
暂无应用领域。