WGD20N06S
IC
TO-252
可供量大可议
WGD20N06S
特性：低固有电容。 出色的开关特性。 扩展的安全工作区。 无与伦比的栅极电荷：Qg = 50nC（典型值）。 BVDSS = 60V， ID = 20A。 RDS(on)：0.024Ω（最大值）@VG = 10V。 100% 雪崩测试
品牌
Wild Goose
封装
TO-252
库存
430
货期
现货
WGD20N06S参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | Wild Goose(威谷) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 430 |
WGD20N06S概述
特性：低固有电容。 出色的开关特性。 扩展的安全工作区。 无与伦比的栅极电荷：Qg = 50nC（典型值）。 BVDSS = 60V， ID = 20A。 RDS(on)：0.024Ω（最大值）@VG = 10V。 100% 雪崩测试
WGD20N06S特性
暂无产品特性。
WGD20N06S应用领域
暂无应用领域。