WGD11N45SE
IC
TO-252
可供量大可议
WGD11N45SE
特性：低固有电容。 出色的开关特性。 扩展的安全工作区。 无与伦比的栅极电荷：Qg = 28nC（典型值）。 BVDSS = 450V， D = 11A。 RDS(on)：0.55Ω（最大值）@VG = 10V。 100%雪崩测试
品牌
Wild Goose
封装
TO-252
库存
13,840
货期
现货
WGD11N45SE参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | Wild Goose(威谷) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 13840 |
WGD11N45SE概述
特性：低固有电容。 出色的开关特性。 扩展的安全工作区。 无与伦比的栅极电荷：Qg = 28nC（典型值）。 BVDSS = 450V， D = 11A。 RDS(on)：0.55Ω（最大值）@VG = 10V。 100%雪崩测试
WGD11N45SE特性
暂无产品特性。
WGD11N45SE应用领域
暂无应用领域。