WGA20N65SE
IC
TO-3P
可供量大可议
WGA20N65SE
特性：低固有电容。 出色的开关特性。 扩展的安全工作区。 无与伦比的栅极电荷：Qg = 75 nC（典型值）。 BVDSS = 650V， D = 20A。 RDS(on)：0.42Ω（最大值）@VG = 10V。 100%雪崩测试
品牌
Wild Goose
封装
TO-3P
库存
292
货期
现货
WGA20N65SE参数
| 封装 | TO-3P |
|---|---|
| 品牌 | Wild Goose(威谷) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 292 |
WGA20N65SE概述
特性：低固有电容。 出色的开关特性。 扩展的安全工作区。 无与伦比的栅极电荷：Qg = 75 nC（典型值）。 BVDSS = 650V， D = 20A。 RDS(on)：0.42Ω（最大值）@VG = 10V。 100%雪崩测试
WGA20N65SE特性
暂无产品特性。
WGA20N65SE应用领域
暂无应用领域。