W989D6DBGX6I

低功耗同步内存， 包含536,870,912个存储单元， 采用高性能工艺技术制造。 设计功耗低于普通SDRAM， 具备低功耗特性， 适用于电池供电的应用。 有两种组织形式：4,194,304字×4个存储体×32位或8,388,608字×4个存储体×16位。 以完全同步模式运行， 输出数据与系统时钟的正边沿同步， 能够以高达166MHz的时钟速率传输数据。 支持部分阵列自刷新（PASR）和自动温度补偿自刷新（ATCSR）等特殊低功耗功能。