W29N02GVSIAA
自营可供
IC
48-TSOP
W29N02GVSIAA
IC FLASH 2G PARALLEL 48TSOP
品牌
WINBOND
封装
48-TSOP
交期
现货
批次
20+
W29N02GVSIAA参数
| 封装 | 48-TSOP |
|---|---|
| 品牌 | WINBOND(华邦) |
| 批次 | 20+ |
| 存储容量 | 2Gbit |
| 页写入时间(Tpp) | 250us |
| 数据保留 - TDR(年) | 10年 |
| 待机电流 | 10uA |
| 功能特性 | 坏块管理功能； 硬件写保护功能； 读缓存功能； ECC纠错功能； 软件复位功能； 复制回写功能 |
| 分类 | NAND FLASH |
|---|---|
| 库存 | 50 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 工作电压 | 2.7V~3.6V |
| 块擦除时间(tBE) | 2ms |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ |
| 擦写寿命 | 10万次 |
W29N02GVSIAA概述
IC FLASH 2G PARALLEL 48TSOP
W29N02GVSIAA特性
- 高存储容量: 提供 2Gb（256M x 8）的存储空间， 满足大容量数据存储需求。
- 快速存取时间: 访问时间和写周期时间均为 25ns， 确保高速数据读写。
- 宽电压范围: 支持 2.7V 至 3.6V 的供电电压， 适应多种电源环境。
- 宽工作温度范围: 可在 -40°C 至 85°C 的温度范围内稳定工作， 适用于恶劣环境。
- 表面贴装封装: 采用 48-TSOP 封装， 便于在 PCB 上进行表面贴装， 节省空间。
- 高可靠性: 采用 SLC 技术， 具有更高的数据可靠性和更长的使用寿命。
- 快速存取: 访问时间和写周期时间均为 25ns， 确保高速数据读写。
W29N02GVSIAA应用领域
- W29N02GVSIAA 广泛应用于各种需要高可靠性和快速数据存取的电子设备中， 包括但不限于
- 嵌入式系统: 用于存储操作系统、应用程序和用户数据。
- 消费电子产品: 如智能手机、平板电脑、数码相机等， 用于存储多媒体文件和应用程序数据。
- 工业控制: 用于存储控制程序和数据， 确保工业设备的稳定运行。
- 汽车电子: 用于存储导航数据、娱乐系统数据和控制程序， 适应汽车环境的严苛要求。
- 网络设备: 用于存储固件和配置数据， 确保网络设备的高效运行。