W25R64JVSSIQ TR
IC
SOIC-8-208mil
可供量大可议
W25R64JVSSIQ TR
W25R64JVSSIQ TR
品牌
Winbond
封装
SOIC-8-208mil
库存
2,000
货期
现货
W25R64JVSSIQ TR参数
| 封装 | SOIC-8-208mil |
|---|---|
| 品牌 | Winbond(华邦) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 存储容量 | 64Mbit |
| 工作电压 | 2.7V~3.6V |
| 擦写寿命 | 100000次 |
| 数据保留 - TDR(年) | 20年 |
| 功能特性 | 硬件写保护； 绝对写保护； 写使能锁存； 软件写保护； 上电复位； 电源锁定保护 |
| 商品型号 | W25R64JVSSIQ TR |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 0.0005011 |
| 分类 | NOR FLASH |
|---|---|
| 库存 | 2000 |
| 接口类型 | SPI |
| 时钟频率(fc) | 133MHz |
| 待机电流 | 35uA |
| 页写入时间(Tpp) | 3ms |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ |
| 商品名称 | W25R64JVSSIQ TR |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | NOR FLASH |
W25R64JVSSIQ TR概述
W25R64JV（64兆位）串行闪存为空间、引脚和功率有限的系统提供存储解决方案。 W25系列提供远超普通串行闪存器件的灵活性和性能。 它们非常适用于代码影子到RAM、直接从双/四路SPI执行代码以及存储语音、文本和数据。 该器件在2.7V至3.6V单电源下工作， 活动电流消耗低至4mA， 掉电电流为1μA。 所有器件均采用节省空间的封装。 W25R64JV支持标准串行外设接口、双/四路I/O SPI：串行时钟、片选、串行数据I/O0、I/O1、I/O2和I/O3。 支持高达133MHz的SPI时钟频率， 当使用快速读双/四路I/O指令时， 双路I/O的等效时钟速率可达266MHz， 四路I/O可达532MHz。 这些传输速率可以超越标准的异步8位和16位并行闪存。 该器件支持JEDEC标准制造商和器件ID以及SFDP寄存器、一个64位序列号和三个256字节安全寄存器。 W25R系列还配备了称为重放保护单调计数器的增强安全功能。 重放保护在闪存器件和控制器之间提供高级别的安全通信， 以减少系统对硬件攻击的脆弱性。
W25R64JVSSIQ TR特性
- 单电源2.7V至3.6V供电
- 64兆位串行闪存， 组织为128个可擦除块（每个64KB）或4096个可擦除扇区（每个4KB）
- 支持标准、双路和四路SPI
- 支持快速读双路和四路I/O指令， 时钟频率高达133MHz， 数据传输速率高达532MHz
- 软件和硬件复位功能
- 低功耗：典型活动电流4mA， 典型掉电电流1μA
- 灵活的架构：每页256字节， 可编程1至256字节
- 高级安全功能：重放保护单调计数器、三个256字节安全寄存器、64位ID
- 写保护：通过状态寄存器控制
- 高可靠性：耐久性10万次擦写循环， 数据保留20年
- 温度范围：工业级-40℃至+85℃
- 小尺寸8引脚SOIC封装
W25R64JVSSIQ TR应用领域
暂无应用领域。