W25Q128JVSIQ
自营可供
IC
SOIC-8-208mil
W25Q128JVSIQ
NOR FLASH 128Mbit SPI 3ms 2.7V~3.6V
品牌
WINBOND
封装
SOIC-8-208mil
交期
现货
批次
两年内
W25Q128JVSIQ参数
| 封装 | SOIC-8-208mil |
|---|---|
| 品牌 | WINBOND(华邦) |
| 批次 | 两年内 |
| 接口类型 | SPI |
| 时钟频率(fc) | 133MHz |
| 待机电流 | 1uA |
| 页写入时间(Tpp) | 3ms |
| 数据保留 - TDR(年) | 20年 |
| 功能特性 | 硬件写保护； 绝对写保护； 写使能锁存； 软件写保护； 上电复位 |
| 商品型号 | W25Q128JVSIQ |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 0.0004114 |
| 分类 | NOR FLASH |
|---|---|
| 库存 | 14,292 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 存储容量 | 128Mbit |
| 工作电压 | 2.7V~3.6V |
| 擦写寿命 | 100000次 |
| 块擦除时间(tBE) | 120ms@(32KB) |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ |
| 商品名称 | 编带 支持双路/四路SPI接口的3V、128Mbit 串行闪存 |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | NOR FLASH |
W25Q128JVSIQ概述
NOR FLASH 128Mbit SPI 3ms 2.7V~3.6V
W25Q128JVSIQ特性
- 为空间、引脚和电源受限的系统提供存储解决方案
- 灵活性和性能远超普通串行闪存设备
- 适合代码映射到RAM、通过双/四SPI（XIP）直接执行代码以及存储语音、文本和数据
- 在2.7V ~ 3.6V单电源下工作， 掉电时电流消耗低至1µA