VUO80-16NO1
IC
DIP
可供量大可议
VUO80-16NO1
特性:采用DCB陶瓷封装。 改善了温度和功率循环性能。 平面钝化芯片。 极低的正向压降。 极低的泄漏电流。 应用:主整流二极管。 用于三相桥配置
品牌
Littelfuse/IXYS
封装
DIP
库存
20
货期
现货
VUO80-16NO1参数
| 封装 | DIP |
|---|---|
| 品牌 | Littelfuse/IXYS |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 整流桥 |
|---|---|
| 库存 | 20 |
VUO80-16NO1概述
特性:采用DCB陶瓷封装。 改善了温度和功率循环性能。 平面钝化芯片。 极低的正向压降。 极低的泄漏电流。 应用:主整流二极管。 用于三相桥配置
VUO80-16NO1特性
暂无产品特性。
VUO80-16NO1应用领域
暂无应用领域。
