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VUO80-16NO1
IC

DIP

可供量大可议

VUO80-16NO1

特性:采用DCB陶瓷封装。 改善了温度和功率循环性能。 平面钝化芯片。 极低的正向压降。 极低的泄漏电流。 应用:主整流二极管。 用于三相桥配置

品牌

Littelfuse/IXYS

封装

DIP

库存

20

货期

现货

VUO80-16NO1参数

封装DIP
品牌Littelfuse/IXYS
MOQ / SPQ1 / 1
分类整流桥
库存20

VUO80-16NO1概述

特性:采用DCB陶瓷封装。 改善了温度和功率循环性能。 平面钝化芯片。 极低的正向压降。 极低的泄漏电流。 应用:主整流二极管。 用于三相桥配置

VUO80-16NO1特性

暂无产品特性。

VUO80-16NO1应用领域

暂无应用领域。

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