VSWA2-63DR+
IC
QFN-16(4x4)
可供量大可议
VSWA2-63DR+
VSWA2-63DR+是一款高隔离度吸收型单刀双掷射频开关， 内置CMOS驱动器， 可在单正电源电压下工作， 典型电流消耗为12μA。 适用于50Ω系统的500-6000MHz宽带操作， 也可在75Ω系统中使用， 但回波损耗会有所下降。 该开关在300kHz至500MHz范围内具有反射开关性能。 封装为4mmx4mmx0.9mm， MSL1等级， ESD防护等级为1A。
品牌
Mini-Circuits
封装
QFN-16(4x4)
库存
10
货期
现货
VSWA2-63DR+参数
| 封装 | QFN-16(4x4) |
|---|---|
| 品牌 | Mini-Circuits |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 射频开关 |
|---|---|
| 库存 | 10 |
VSWA2-63DR+概述
VSWA2-63DR+是一款高隔离度吸收型单刀双掷射频开关， 内置CMOS驱动器， 可在单正电源电压下工作， 典型电流消耗为12μA。 适用于50Ω系统的500-6000MHz宽带操作， 也可在75Ω系统中使用， 但回波损耗会有所下降。 该开关在300kHz至500MHz范围内具有反射开关性能。 封装为4mmx4mmx0.9mm， MSL1等级， ESD防护等级为1A。
VSWA2-63DR+特性
暂无产品特性。
VSWA2-63DR+应用领域
暂无应用领域。