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VSSB420S-M3/5BT-HXY
IC

SMB

可供量大可议

VSSB420S-M3/5BT-HXY

该肖特基二极管采用独立式结构, 额定正向电流为2A, 最大反向电压达200V。 其正向压降典型值为0.95V, 在导通状态下具有较低的功耗表现; 反向漏电流为300μA, 体现出良好的阻断特性。 器件可承受高达50A的非重复峰值正向浪涌电流, 适用于对效率和瞬态响应有一定要求的电源整流、开关模式转换及高频续流等电路场合。

品牌

HXY MOSFET

封装

SMB

库存

180

货期

现货

VSSB420S-M3/5BT-HXY参数

封装SMB
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类肖特基二极管
库存180

VSSB420S-M3/5BT-HXY概述

该肖特基二极管采用独立式结构, 额定正向电流为2A, 最大反向电压达200V。 其正向压降典型值为0.95V, 在导通状态下具有较低的功耗表现; 反向漏电流为300μA, 体现出良好的阻断特性。 器件可承受高达50A的非重复峰值正向浪涌电流, 适用于对效率和瞬态响应有一定要求的电源整流、开关模式转换及高频续流等电路场合。

VSSB420S-M3/5BT-HXY特性

暂无产品特性。

VSSB420S-M3/5BT-HXY应用领域

暂无应用领域。

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