VSSB420S-M3/5BT-HXY
IC
SMB
可供量大可议
VSSB420S-M3/5BT-HXY
该肖特基二极管采用独立式结构, 额定正向电流为2A, 最大反向电压达200V。 其正向压降典型值为0.95V, 在导通状态下具有较低的功耗表现; 反向漏电流为300μA, 体现出良好的阻断特性。 器件可承受高达50A的非重复峰值正向浪涌电流, 适用于对效率和瞬态响应有一定要求的电源整流、开关模式转换及高频续流等电路场合。
品牌
HXY MOSFET
封装
SMB
库存
180
货期
现货
VSSB420S-M3/5BT-HXY参数
| 封装 | SMB |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 180 |
VSSB420S-M3/5BT-HXY概述
该肖特基二极管采用独立式结构, 额定正向电流为2A, 最大反向电压达200V。 其正向压降典型值为0.95V, 在导通状态下具有较低的功耗表现; 反向漏电流为300μA, 体现出良好的阻断特性。 器件可承受高达50A的非重复峰值正向浪涌电流, 适用于对效率和瞬态响应有一定要求的电源整流、开关模式转换及高频续流等电路场合。
VSSB420S-M3/5BT-HXY特性
暂无产品特性。
VSSB420S-M3/5BT-HXY应用领域
暂无应用领域。
