VSSAF5N50-M3/6A
IC
DO-221AC(SLIMSMA)
可供量大可议
VSSAF5N50-M3/6A
特性:非常低的外形。 典型高度为0.95mm, 适合自动贴装。 沟槽MOS肖特基技术。 低功率损耗, 高效率。 低正向压降。 符合J-STD-020的MSL 1级, LF最大峰值为260℃。 应用:低压、高频逆变器。 续流
品牌
VISHAY
封装
DO-221AC(SLIMSMA)
库存
73
货期
现货
VSSAF5N50-M3/6A参数
| 封装 | DO-221AC(SLIMSMA) |
|---|---|
| 品牌 | VISHAY(威世) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 73 |
VSSAF5N50-M3/6A概述
特性:非常低的外形。 典型高度为0.95mm, 适合自动贴装。 沟槽MOS肖特基技术。 低功率损耗, 高效率。 低正向压降。 符合J-STD-020的MSL 1级, LF最大峰值为260℃。 应用:低压、高频逆变器。 续流
VSSAF5N50-M3/6A特性
暂无产品特性。
VSSAF5N50-M3/6A应用领域
暂无应用领域。
