VSSAF5M10-M3/H
IC
DO-221AC
可供量大可议
VSSAF5M10-M3/H
特性：非常低的外形。 典型高度为 0.95mm， 适合自动贴装。 沟槽 MOS 肖特基技术。 低功耗， 高效率。 低正向压降。 符合 J-STD-020 的 MSL 1 级， LF 最大峰值为 260℃。 应用：用于高频逆变器、续流、DC/DC 转换器以及商业、工业和汽车应用中的极性保护
品牌
VISHAY
封装
DO-221AC
库存
12,950
货期
现货
VSSAF5M10-M3/H参数
| 封装 | DO-221AC |
|---|---|
| 品牌 | VISHAY(威世) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 12950 |
VSSAF5M10-M3/H概述
特性：非常低的外形。 典型高度为 0.95mm， 适合自动贴装。 沟槽 MOS 肖特基技术。 低功耗， 高效率。 低正向压降。 符合 J-STD-020 的 MSL 1 级， LF 最大峰值为 260℃。 应用：用于高频逆变器、续流、DC/DC 转换器以及商业、工业和汽车应用中的极性保护
VSSAF5M10-M3/H特性
暂无产品特性。
VSSAF5M10-M3/H应用领域
暂无应用领域。