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VSMY12850
IC

1206

可供量大可议

VSMY12850

High Speed Infrared Emitting Diodes 850nm Surface

品牌

VISHAY

封装

1206

库存

1,892

货期

现货

VSMY12850参数

封装1206
品牌VISHAY(威世)
批次24+
正向压降(Vf)1.4V; 1.65V; 2.9V
波长850nm
正向电流70mA
视角40°
半波宽35nm
分类红外发射管
库存1,892
MOQ / SPQ1 / 1
耗散功率(Pd)140mW
辐射强度16mW/sr@IF=70mA
直流反向耐压(Vr)5V
工作温度-40℃~+85℃

VSMY12850概述

High Speed Infrared Emitting Diodes 850nm Surface

VSMY12850特性

暂无产品特性。

VSMY12850应用领域

暂无应用领域。

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