VSMBRS360-M3/9AT-HXY
IC
SMC
可供量大可议
VSMBRS360-M3/9AT-HXY
该肖特基二极管采用独立式配置, 具有3A的额定正向电流(IF)和60V的最大反向电压(VR)。 其正向压降(VF)为0.7V, 在导通时可有效控制功耗; 反向漏电流(IR)为100μA, 表明在反向偏置下具备良好的阻断能力。 器件能承受高达80A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于高频整流、电源转换输出级以及需要低损耗与快速响应的电子电路中。
品牌
HXY MOSFET
封装
SMC
库存
25
货期
现货
VSMBRS360-M3/9AT-HXY参数
| 封装 | SMC |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 25 |
VSMBRS360-M3/9AT-HXY概述
该肖特基二极管采用独立式配置, 具有3A的额定正向电流(IF)和60V的最大反向电压(VR)。 其正向压降(VF)为0.7V, 在导通时可有效控制功耗; 反向漏电流(IR)为100μA, 表明在反向偏置下具备良好的阻断能力。 器件能承受高达80A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于高频整流、电源转换输出级以及需要低损耗与快速响应的电子电路中。
VSMBRS360-M3/9AT-HXY特性
暂无产品特性。
VSMBRS360-M3/9AT-HXY应用领域
暂无应用领域。
