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VSMBRS360-M3/9AT-HXY
IC

SMC

可供量大可议

VSMBRS360-M3/9AT-HXY

该肖特基二极管采用独立式配置, 具有3A的额定正向电流(IF)和60V的最大反向电压(VR)。 其正向压降(VF)为0.7V, 在导通时可有效控制功耗; 反向漏电流(IR)为100μA, 表明在反向偏置下具备良好的阻断能力。 器件能承受高达80A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于高频整流、电源转换输出级以及需要低损耗与快速响应的电子电路中。

品牌

HXY MOSFET

封装

SMC

库存

25

货期

现货

VSMBRS360-M3/9AT-HXY参数

封装SMC
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类肖特基二极管
库存25

VSMBRS360-M3/9AT-HXY概述

该肖特基二极管采用独立式配置, 具有3A的额定正向电流(IF)和60V的最大反向电压(VR)。 其正向压降(VF)为0.7V, 在导通时可有效控制功耗; 反向漏电流(IR)为100μA, 表明在反向偏置下具备良好的阻断能力。 器件能承受高达80A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于高频整流、电源转换输出级以及需要低损耗与快速响应的电子电路中。

VSMBRS360-M3/9AT-HXY特性

暂无产品特性。

VSMBRS360-M3/9AT-HXY应用领域

暂无应用领域。

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