VSMBRA140TRPBF-HXY
IC
SMA
可供量大可议
VSMBRA140TRPBF-HXY
该肖特基二极管为独立式配置, 额定正向电流IF为1A, 最大反向电压VR达40V。 其正向压降VF典型值为0.55V, 有助于降低导通损耗; 反向漏电流IR在最大反向电压下不超过500μA, 具备良好的反向阻断特性。 器件可承受高达30A的非重复峰值正向浪涌电流IFSM, 适用于对效率和响应速度要求较高的整流与开关应用场景。
Brand
HXY MOSFET
Package
SMA
Stock
95
货期
现货
VSMBRA140TRPBF-HXYParameters
| 封装 | SMA |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 95 |
VSMBRA140TRPBF-HXY概述
该肖特基二极管为独立式配置, 额定正向电流IF为1A, 最大反向电压VR达40V。 其正向压降VF典型值为0.55V, 有助于降低导通损耗; 反向漏电流IR在最大反向电压下不超过500μA, 具备良好的反向阻断特性。 器件可承受高达30A的非重复峰值正向浪涌电流IFSM, 适用于对效率和响应速度要求较高的整流与开关应用场景。
VSMBRA140TRPBF-HXY特性
暂无产品特性。
VSMBRA140TRPBF-HXY应用领域
暂无应用领域。
