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VSMBR2545CT-M3-HXY
IC

TO-220AB-3

可供量大可议

VSMBR2545CT-M3-HXY

该肖特基二极管采用1对共阴极配置, 具有30A的额定正向电流和45V的最大反向电压。 其正向压降仅为0.48V, 有助于显著降低导通损耗; 在反向工作状态下, 漏电流控制在40μA, 体现出优异的阻断能力。 器件可承受高达280A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于高效率电源整流、高频开关电路以及对热管理和能效要求较高的电子系统中。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-220AB-3

库存

48

货期

现货

VSMBR2545CT-M3-HXY参数

封装TO-220AB-3
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类肖特基二极管
库存48

VSMBR2545CT-M3-HXY概述

该肖特基二极管采用1对共阴极配置, 具有30A的额定正向电流和45V的最大反向电压。 其正向压降仅为0.48V, 有助于显著降低导通损耗; 在反向工作状态下, 漏电流控制在40μA, 体现出优异的阻断能力。 器件可承受高达280A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于高效率电源整流、高频开关电路以及对热管理和能效要求较高的电子系统中。

VSMBR2545CT-M3-HXY特性

暂无产品特性。

VSMBR2545CT-M3-HXY应用领域

暂无应用领域。

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