VSMBR2545CT-M3-HXY
IC
TO-220AB-3
可供量大可议
VSMBR2545CT-M3-HXY
该肖特基二极管采用1对共阴极配置, 具有30A的额定正向电流和45V的最大反向电压。 其正向压降仅为0.48V, 有助于显著降低导通损耗; 在反向工作状态下, 漏电流控制在40μA, 体现出优异的阻断能力。 器件可承受高达280A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于高效率电源整流、高频开关电路以及对热管理和能效要求较高的电子系统中。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-220AB-3
库存
48
货期
现货
VSMBR2545CT-M3-HXY参数
| 封装 | TO-220AB-3 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 48 |
VSMBR2545CT-M3-HXY概述
该肖特基二极管采用1对共阴极配置, 具有30A的额定正向电流和45V的最大反向电压。 其正向压降仅为0.48V, 有助于显著降低导通损耗; 在反向工作状态下, 漏电流控制在40μA, 体现出优异的阻断能力。 器件可承受高达280A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于高效率电源整流、高频开关电路以及对热管理和能效要求较高的电子系统中。
VSMBR2545CT-M3-HXY特性
暂无产品特性。
VSMBR2545CT-M3-HXY应用领域
暂无应用领域。
