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VSMBR2080CT-M3-HXY
IC

TO-220C

可供量大可议

VSMBR2080CT-M3-HXY

该肖特基二极管采用1对共阴极配置, 额定正向电流为20A, 最大反向电压达100V。 其正向压降为0.85V, 在较高耐压下仍保持较低导通损耗; 反向漏电流仅为20μA, 展现出优异的反向阻断特性。 器件可承受高达200A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于中高电压输出的开关电源、多相整流电路以及对效率和可靠性要求较高的电源转换场合。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-220C

库存

48

货期

现货

VSMBR2080CT-M3-HXY参数

封装TO-220C
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类肖特基二极管
库存48

VSMBR2080CT-M3-HXY概述

该肖特基二极管采用1对共阴极配置, 额定正向电流为20A, 最大反向电压达100V。 其正向压降为0.85V, 在较高耐压下仍保持较低导通损耗; 反向漏电流仅为20μA, 展现出优异的反向阻断特性。 器件可承受高达200A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于中高电压输出的开关电源、多相整流电路以及对效率和可靠性要求较高的电源转换场合。

VSMBR2080CT-M3-HXY特性

暂无产品特性。

VSMBR2080CT-M3-HXY应用领域

暂无应用领域。

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