VSMBR2080CT-M3-HXY
IC
TO-220C
可供量大可议
VSMBR2080CT-M3-HXY
该肖特基二极管采用1对共阴极配置, 额定正向电流为20A, 最大反向电压达100V。 其正向压降为0.85V, 在较高耐压下仍保持较低导通损耗; 反向漏电流仅为20μA, 展现出优异的反向阻断特性。 器件可承受高达200A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于中高电压输出的开关电源、多相整流电路以及对效率和可靠性要求较高的电源转换场合。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-220C
库存
48
货期
现货
VSMBR2080CT-M3-HXY参数
| 封装 | TO-220C |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 48 |
VSMBR2080CT-M3-HXY概述
该肖特基二极管采用1对共阴极配置, 额定正向电流为20A, 最大反向电压达100V。 其正向压降为0.85V, 在较高耐压下仍保持较低导通损耗; 反向漏电流仅为20μA, 展现出优异的反向阻断特性。 器件可承受高达200A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于中高电压输出的开关电源、多相整流电路以及对效率和可靠性要求较高的电源转换场合。
VSMBR2080CT-M3-HXY特性
暂无产品特性。
VSMBR2080CT-M3-HXY应用领域
暂无应用领域。
