VSMBR20100CT-M3-HXY
IC
TO-220C
可供量大可议
VSMBR20100CT-M3-HXY
该肖特基二极管采用1对共阴极配置, 具备20A的正向电流能力与100V的反向重复峰值电压。 其正向压降为0.85V, 在导通状态下有效控制功耗; 反向漏电流低至20μA, 确保良好的关断特性。 器件可承受高达200A的正向浪涌电流(IFSM), 适用于高频整流、续流保护及多路输出电源等电路结构, 满足对高效率与紧凑布局有要求的应用场景。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-220C
库存
48
货期
现货
VSMBR20100CT-M3-HXY参数
| 封装 | TO-220C |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 48 |
VSMBR20100CT-M3-HXY概述
该肖特基二极管采用1对共阴极配置, 具备20A的正向电流能力与100V的反向重复峰值电压。 其正向压降为0.85V, 在导通状态下有效控制功耗; 反向漏电流低至20μA, 确保良好的关断特性。 器件可承受高达200A的正向浪涌电流(IFSM), 适用于高频整流、续流保护及多路输出电源等电路结构, 满足对高效率与紧凑布局有要求的应用场景。
VSMBR20100CT-M3-HXY特性
暂无产品特性。
VSMBR20100CT-M3-HXY应用领域
暂无应用领域。
