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VSMBR20100CT-M3-HXY
IC

TO-220C

可供量大可议

VSMBR20100CT-M3-HXY

该肖特基二极管采用1对共阴极配置, 具备20A的正向电流能力与100V的反向重复峰值电压。 其正向压降为0.85V, 在导通状态下有效控制功耗; 反向漏电流低至20μA, 确保良好的关断特性。 器件可承受高达200A的正向浪涌电流(IFSM), 适用于高频整流、续流保护及多路输出电源等电路结构, 满足对高效率与紧凑布局有要求的应用场景。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-220C

库存

48

货期

现货

VSMBR20100CT-M3-HXY参数

封装TO-220C
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类肖特基二极管
库存48

VSMBR20100CT-M3-HXY概述

该肖特基二极管采用1对共阴极配置, 具备20A的正向电流能力与100V的反向重复峰值电压。 其正向压降为0.85V, 在导通状态下有效控制功耗; 反向漏电流低至20μA, 确保良好的关断特性。 器件可承受高达200A的正向浪涌电流(IFSM), 适用于高频整流、续流保护及多路输出电源等电路结构, 满足对高效率与紧凑布局有要求的应用场景。

VSMBR20100CT-M3-HXY特性

暂无产品特性。

VSMBR20100CT-M3-HXY应用领域

暂无应用领域。

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